铠侠推出 SF10 SSD：Gen4 DRAM-less QLC，顺序读取可达 7.3GB/s
铠侠今日宣布推出 SF10 固态硬盘。这一型号是其 EXCERIA BASIC 入门级产品线的首款产品，基于 BiCS8 QLC NAND 闪存，采用 PCIe 4.0 DRAM-less HMB 方案，符合 NVMe 2.0d 规范。
qlc
PB级固态硬盘要来了 QLC硬盘容量提升1000倍！
随着我们全面进入AI时代，对于硬件的要求全面爆火，无论是GPU还是存储设备，近期的内存狂涨价就是例子，而且要求也越来越高，HMB内存是必须的，为了提升性能和降低延迟，大容量固态硬盘也是必须的，SK海力士已经在研发全新的PB级固态硬盘。
忆联AE531 QLC SSD以三重创新，破局存储密度与能效
在AI与高性能计算浪潮的推动下，存储技术演进不再局限于容量突破，更致力于实现性能、能效与兼容性的全局最优解，这正是大容量存储得以规模化普及的核心驱动力。
高容量 QLC：把闪存容量推向更务实的新高度
过去十年，随着 AI、大数据、超大规模数据中心等应用的兴起，存储的瓶颈逐渐从“是否够快”转向“是否够大”。在这种趋势下，闪存不再只是替代 HDD 的高性能介质，而是逐渐成为数据基础设施的核心层。
120TB以上SSD需求激增 QLC成涨价先锋：TLC地位已不稳
原因并不复杂，因为推动涨价的根源是AI市场的需求，AI大模型动辄上万亿参数量，不仅对内存/显存要求高，也给硬盘极大的存储压力，QLC是目前容量、成本均衡的硬盘之选，没有之一。
闪迪举办WD Blue SN5100媒体分享会：深度解析QLC闪存背后的技术突围与市场考量
2025年9月19日，闪迪举办WD Blue SN5100 NVMe SSD媒体分享会，为大家详细解析了这款产品的技术亮点与核心优势，同时针对大家对QLC闪存的共同质疑展开深度对话。会上，闪迪公司中国区分销渠道事业部总经理陈光辉、闪迪公司产品市场经理刘小龙详细
闪迪 wd qlc bluesn5100 sn5100 2025-09-25 17:43 6
集邦：服务器QLC需求带动，预计NAND合约价2025Q4涨5~10%
TrendForce 集邦咨询今日表示，AI 服务器市场对大容量 QLC 企业级固态硬盘的需求大幅攀升，让原本预计会进入一段盘整期的 NAND 闪存价格重新进入上升轨道，预计今年四季度 NAND 平均合约价将出现 5~10% 的环比涨幅。
受QLC产品热度的外溢效应驱动，NAND Flash 4Q25价格上涨5-10%
根据TrendForce集邦咨询观察，由于消费市场需求提前在上半年被透支，下半年旺季未能如预期发挥效应，市场原本普遍预估4Q25价格将进入盘整。然而，HDD供给短缺与过长交期，使CSP(云端服务供应商)将储存需求快速转向QLC Enterprise SSD，短
集邦咨询：受QLC产品热度的外溢效应驱动 预计NAND Flash第四季价格将上涨5-10%
根据TrendForce集邦咨询观察，由于消费市场需求提前在上半年被透支，下半年旺季未能如预期发挥效应，市场原本普遍预估4Q25价格将进入盘整。然而，HDD供给短缺与过长交期，使CSP(云端服务供应商)将储存需求快速转向QLC Enterprise SSD，短
研报 | 受QLC产品热度的外溢效应驱动，预计NAND Flash 4Q25价格将上涨5-10%
根据TrendForce集邦咨询观察，由于消费市场需求提前在上半年被透支，下半年旺季未能如预期发挥效应，市场原本普遍预估4Q25价格将进入盘整。然而，HDD供给短缺与过长交期，使CSP（云端服务供应商）将储存需求快速转向QLC Enterprise SSD，短
为何大厂都钟爱“QLC闪存”，这事儿我问了闪迪
不知你是否留意到，各大存储厂商，甚至是部分手机厂商在今年新发的产品里都用上了「QLC闪存」。根据IDC调研报告（《全球固态硬盘预测更新报告》 #US50021623），预计到2026年超过50%的客户端SSD将由QLC技术提供支持，逐渐成为行业共识与消费者选择
忆联首款消费级QLC SSD AE531重磅发布！以超强可靠性与广泛兼容性，强力打造用户极致TCO
近日，忆联正式推出旗下首款面向消费级市场的QLC SSD产品—AE531。该产品基于QLC NAND介质打造，以卓越的生态兼容性和全生命周期成本优化为核心竞争力，为消费级PC、笔记本电脑等终端设备提供革新型存储解决方案，树立消费级存储产品的价值标杆。
忆联首款消费级 QLC 固态硬盘 AE531 发布：DRAM-less 架构 + 静态 SLC 缓存
忆联 Union Memory 本周早些时候正式发布了该企业首款消费级 QLC NAND 固态硬盘 AE531。这一 SSD 采用 M.2 2280 / 2242 外形规格和 PCIe 4.0 ×4 接口，符合 NVMe 1.4 规范。
三星QLC NAND延后供应
三星电子多年来是全球最大的DRAM供应商，也是最大的NAND供应商，然而近两年来的发展并不太顺利。
三星存储芯片霸权动摇：QLC闪存缺陷致量产推迟，被SK海力士反超
多年来，三星一直稳居全球最大DRAM内存和NAND闪存供应商宝座，然而近两年的发展却遭遇严峻挑战，市场份额和技术领先优势正逐渐流失。这一变化不仅反映了存储芯片行业的激烈竞争格局，也预示着全球存储市场可能迎来新一轮洗牌。
三星在闪存方面遇到了麻烦第九代 QLC NAND 的发布被推迟到 2026 年
随着人工智能基础设施的扩展，对大容量数据存储的需求持续增长。这反过来又提高了对新代 NAND 闪存开发的兴趣。然而，正如 ZDNet 报道的那样，作为关键 NAND 芯片供应商之一的 Samsung，在商业化其高容量 NAND 第九代（V9）闪存时遇到了困难，
三星V9 QLC NAND商业化受阻
三星电子在推进V9 QLC NAND Flash商业化过程中，遭遇了严重的技术瓶颈。
三星第9代V-NAND QLC量产时间或推迟至2026H1：存在设计缺陷影响性能
去年4月，三星正式开始量产第9代V-NAND闪存，首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存。到了9月，三星宣布启动新款第9代V-NAND闪存的量产工作，属于其首款1Tb的QLC（四层单元）闪存，主要为了迎合企业级SSD市场呈现日益增长的趋势。
传三星第9代V-NAND QLC量产时间推迟至2026H1：存在设计缺陷影响性能
去年4月，三星正式开始量产第9代V-NAND闪存，首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存。到了9月，三星宣布启动新款第9代V-NAND闪存的量产工作，属于其首款1Tb的QLC（四层单元）闪存，主要为了迎合企业级SSD市场呈现日益增长的趋势。
因性能问题 三星将V9 QLC NAND闪存量产推迟至2026年上半年
三星V9 NAND采用280层设计，原先先推出了1TB的TLC版（三级单元），在2024年4月量产，随后于去年9月初步转向更复杂的QLC版（四级单元）。但业内消息称，首批V9 QLC芯片暴露出根本性设计缺陷，导致性能受限。